大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiā命运多桀和命运多舛的区别怎么读，命运多桀和命运多舛的区别是什么o)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加命运多桀和命运多舛的区别怎么读，命运多桀和命运多舛的区别是什么工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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