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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》中国航发属于央企还是国企啊 中国航发是上市公司吗，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(中国航发属于央企还是国企啊 中国航发是上市公司吗dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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