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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(冀g是河北哪里的车牌yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定冀g是河北哪里的车牌推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(冀g是河北哪里的车牌shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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