大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光得物上的东西是正品吗，得物上的东西是新的还是二手公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)得物上的东西是正品吗，得物上的东西是新的还是二手比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(得物上的东西是正品吗，得物上的东西是新的还是二手děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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