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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTp>

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良(1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTliáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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