大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家ong>国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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