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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全(q广西属于南方还是北方uán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 广西属于南方还是北方Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻广西属于南方还是北方蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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