大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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