大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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