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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng佛诞是什么时候,佛诞是几月几日 佛诞是香港的劳工假期吗)室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波佛诞是什么时候,佛诞是几月几日 佛诞是香港的劳工假期吗龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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