大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚塑料是不是绝缘体定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美塑料是不是绝缘体(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(d塑料是不是绝缘体e)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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