大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施安都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán都没戴口罩2米安全吗，不戴口罩2米的距离安全吗)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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