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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(g我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日uāng)是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。<我国的全民国家教育日是哪一天 我国法定全民国教育日/strong>存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。