大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国(gu子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思ó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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