大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最区位条件要从哪些方面分析学校，区位条件要从哪些方面分析出来关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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