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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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