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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(水晶有灵性是不是迷信，水晶是辟邪还是招鬼xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zh水晶有灵性是不是迷信，水晶是辟邪还是招鬼ǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存水晶有灵性是不是迷信，水晶是辟邪还是招鬼、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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