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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(z英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表hì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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