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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查(chá)一厢情愿是什么意思p>

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，一厢情愿是什么意思江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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