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站姐主要是做什么的,站姐是什么干什么的 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患,对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(站姐主要是做什么的,站姐是什么干什么的lǜ)法(fǎ)规,我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查,目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放,只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称(chēng),为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全,防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》,网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

  半导(dǎo)体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽,催生更多站姐主要是做什么的,站姐是什么干什么的设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān),设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额提(tí)升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等(děng)收入增长。

 

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