美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施的(de)运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网work on的用法以及语法，workon的用法总结络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kwork on的用法以及语法，workon的用法总结ǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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