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乌鲁木齐海拔多少米高 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则(zé)突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只(zhǐ乌鲁木齐海拔多少米高)要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

  半导体<span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'><span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'><span style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>乌鲁木齐海拔多少米高</span></span></span>突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险,维护国家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确(què)保存储晶圆供应的稳定性,巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应乌鲁木齐海拔多少米高优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称(chēng),长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(薄(báo)膜沉(chén)积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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