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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)卓越计划是什么意思，卓越计划是什么意思 报名条件有哪些中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂卓越计划是什么意思，卓越计划是什么意思 报名条件有哪些(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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