大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方; line-height: 24px;'>彩礼可以转账吗，彩礼一般用什么方式给女方(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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