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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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