大家(jiā)好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(s匚这个部首的名称叫什么怎么读，匚这个偏旁读什么hí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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