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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在自行惭秽的意思是什么意思，自行惭秽意思是什么华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2自行惭秽的意思是什么意思，自行惭秽意思是什么022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng自行惭秽的意思是什么意思，自行惭秽意思是什么)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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