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前肖是指哪几个生肖

前肖是指哪几个生肖 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突(tū)发消息。

  美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办前肖是指哪几个生肖公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审(shěn)查发现,美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患,对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此,网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全,是维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全,防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。<前肖是指哪几个生肖/p>

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì),公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xī前肖是指哪几个生肖n)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制,或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深孔(kǒng),未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单,设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提(tí)升,以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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