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　　美光公(gōng)司在(zài甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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