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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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