大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公见贤思齐下一句是啥，见贤思齐下一句论语(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施见贤思齐下一句是啥，见贤思齐下一句论语。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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