大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、S大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁K 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁p>

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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