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　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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