大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此狼籍和狼藉哪个正确，狼籍与狼藉到底怎么区别次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　狼籍和狼藉哪个正确，狼籍与狼藉到底怎么区别

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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