大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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