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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络实属和属实区别在哪，实属与属实的区别安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng实属和属实区别在哪，实属与属实的区别)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓实属和属实区别在哪，实属与属实的区别(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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