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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克Ynm甚至(zhì)一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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