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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我俄罗斯乌克兰什么时候结束战争国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范俄罗斯乌克兰什么时候结束战争产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长俄罗斯乌克兰什么时候结束战争鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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