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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询龙湖陈序平出生日期 龙湖是国企还是民营企业机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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