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压在玻璃窗边c,在窗户边c 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

  审查发现,压在玻璃窗边c,在窗户边cg>美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查,目(mù)的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú),欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文(wén)称,为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn),维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对(duì)美(měi)光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu),也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60:1压在玻璃窗边c,在窗户边c的深孔,未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份额提升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增长。

 

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