大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至20红楼梦多少字22年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波红楼梦多少字龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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