大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qiá相遇时间的公式 相遇时间的公式 相遇时间怎么求相遇时间怎么求n)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长相遇时间的公式 相遇时间怎么求(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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