大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng天津市教育局的电话是多少，天津市教育局的电话是多少号码)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增天津市教育局的电话是多少，天津市教育局的电话是多少号码长。

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