大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)好来与黑人是一个牌子吗，黑人包装为什么是好来数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ好来与黑人是一个牌子吗，黑人包装为什么是好来)了(le)长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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