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腰围88是多少 腰围88是多少码 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī),我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

  半(bàn)导(dǎo)体突发!中国出手:停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信(xìn)网发文称,为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全(quán),防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险,维护国家安全(quán),依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美(měi)光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降,至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é腰围88是多少 腰围88是多少码)占比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示,江波(bō)龙与腰围88是多少 腰围88是多少码三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单(dān),设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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