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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外pp7塑料杯能不能装开水NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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