大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络暧昧期一般多久，暧昧期一般多久可以在一起了安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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