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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)冲冠一怒为红颜指的是什么意思，红颜指的是什么意思解释安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全(q冲冠一怒为红颜指的是什么意思，红颜指的是什么意思解释uán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(sh冲冠一怒为红颜指的是什么意思，红颜指的是什么意思解释èn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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