大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mí为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹n)共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：成都工装公司_工装装修效果图_专注公装设计装修 - 无同之家装饰 为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹