大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制起飞前多久停止登机，起飞前多久停止登机口，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu起飞前多久停止登机，起飞前多久停止登机口)设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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